HP8KA1TB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch+Nch 30V Power MOSET
Вес и габариты
длина5.8 mm
другие названия товара №HP8KA1
Высота 1.1 мм
380
+
Бонус: 7.6 !
Бонусная программа
Итого: 380
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор Nch+Nch 30V Power MOSET
Вес и габариты
длина5.8 mm
другие названия товара №HP8KA1
Высота 1.1 мм
id - непрерывный ток утечки14 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.14 S, 14 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET
qg - заряд затвора24 nC
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток7 mOhms, 7 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns, 25 ns
типичное время задержки выключения85 ns, 85 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаROHM Semiconductor
ТипPower MOSFET
упаковка / блокHSOP-8
vds - напряжение пробоя сток-исток30 V
вес, г0.0706
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания30 ns, 30 ns
время спада40 ns, 40 ns
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль