GKI04048

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 40 В, 14 А (Ta), 3,1 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), поверхностный монтаж 8-DFN (5x6)
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c14A (Ta)
drain to source voltage (vdss)40V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
550
+
Бонус: 11 !
Бонусная программа
Итого: 550
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Discrete Semiconductor Products\Transistors - FETs, MOSFETs - SingleN-канал 40 В, 14 А (Ta), 3,1 Вт (Ta), 59 Вт (Tc), поверхностный монтаж 8-DFN (5x6)
Вес и габариты
current - continuous drain (id) @ 25в°c14A (Ta)
drain to source voltage (vdss)40V
drive voltage (max rds on, min rds on)4.5V, 10V
eccnEAR99
fet typeN-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs35.3nC @ 10V
htsus8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds2410pF @ 25V
moisture sensitivity level (msl)1 (Unlimited)
mounting typeSurface Mount
operating temperature150В°C (TJ)
packageTape & Reel (TR)Cut Tape (CT)Digi-ReelВ®
package / case8-PowerTDFN
power dissipation (max)3.1W (Ta), 59W (Tc)
rds on (max) @ id, vgs5mOhm @ 35.4A, 10V
rohs statusRoHS Compliant
supplier device package8-DFN (5x6)
technologyMOSFET (Metal Oxide)
vgs (max)В±20V
vgs(th) (max) @ id2.5V @ 650ВµA
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль