Name: G3R40MT12K, Транзистор: N-MOSFET; SiC; полевой; 1,2кВ; 50А; Idm: 140А; 333Вт
SKU: G3R40MT12K

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.04Ом
количество выводов	4вывод(-ов)

3 680 ₽

– +

Бонус: 73.6 !

Бонусная программа

Итого: 3 680 ₽

Купить

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.04Ом
количество выводов	4вывод(-ов)
конфигурация моп-транзистора	Single
линейка продукции	G3R
максимальная рабочая температура	175 C
напряжение истока-стока vds	1.2кВ
напряжение измерения rds(on)	15В
непрерывный ток стока	71А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.69В
power dissipation	333Вт
рассеиваемая мощность	333Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.04Ом
стиль корпуса транзистора	TO-247
вес, г	6.57

Отзывов нет

Кнопки