Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.04Ом
количество выводов	4вывод(-ов)

3 570 ₽

– +

Бонус: 71.4 !

Бонусная программа

Итого: 3 570 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\МОП-Транзисторы и Модули на Основе Карбида Кремния (SiC)

Вес и габариты
channel type	N Channel
drain source on state resistance	0.04Ом
количество выводов	4вывод(-ов)
конфигурация моп-транзистора	Single
линейка продукции	G3R
максимальная рабочая температура	175 C
напряжение истока-стока vds	1.2кВ
напряжение измерения rds(on)	15В
непрерывный ток стока	71А
полярность транзистора	N Канал
пороговое напряжение vgs	2.69В
power dissipation	333Вт
рассеиваемая мощность	333Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.04Ом
стиль корпуса транзистора	TO-247
вес, г	1.39

Отзывов нет

Кнопки

G3R40MT12K, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 71 А, 1.2 кВ, 0.04 Ом, TO-247