G2R120MT33J, Silicon Carbide MOSFET, Single, N Канал, 35 А, 3.3 кВ, 0.12 Ом, TO-263 (D2PAK)
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:G2R120MT33J
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
N-Channel 3300V 35A Surface Mount TO-263-7
Вес и габариты
california prop 65
Warning Information
current - continuous drain (id) @ 25в°c
35A
drain to source voltage (vdss)
3300V
drive voltage (max rds on, min rds on)
20V
fet type
N-Channel
gate charge (qg) (max) @ vgs
145nC @ 20V
input capacitance (ciss) (max) @ vds
3706pF @ 1000V
moisture sensitivity level (msl)
1 (Unlimited)
mounting type
Surface Mount
operating temperature
-55В°C ~ 175В°C (TJ)
package
Tube
package / case
TO-263-8, DВІPak (7 Leads + Tab), TO-263CA
rds on (max) @ id, vgs
156mOhm @ 20A, 20V
rohs status
RoHS Compliant
series
G2Rв„ў ->
supplier device package
TO-263-7
technology
SiCFET (Silicon Carbide)
вес, г
1.39
vgs (max)
+25V, -10V
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26