FQT3P20TF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity4000
260
+
Бонус: 5.2 !
Бонусная программа
Итого: 260
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity4000
fall time25 ns
forward transconductance - min0.7 S
id - continuous drain current670 mA
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseSOT-223-4
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance2.7 Ohms
rise time35 ns
seriesFQT3P20
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time12 ns
typical turn-on delay time8.5 ns
vds - drain-source breakdown voltage200 V
vgs - gate-source voltage30 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль