FQPF9P25

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 250V P-Channel QFET
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина10.36 mm
drain source on state resistance0.48Ом
570
+
Бонус: 11.4 !
Бонусная программа
Итого: 570
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 250V P-Channel QFET
Вес и габариты
channel typeP Channel
длина10.36 mm
drain source on state resistance0.48Ом
другие названия товара №FQPF9P25_NL
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.8 S
линейка продукцииQFET
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds250В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока
pd - рассеивание мощности50 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation50Вт
рассеиваемая мощность50Вт
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток620 mOhms
серияFQPF9P25
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.48Ом
стиль корпуса транзистораTO-220F
технологияSi
типичное время задержки при включении20 ns
типичное время задержки выключения45 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток250 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания150 ns
время спада65 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль