FQPF6N80C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Вес и габариты
длина10.36 mm
другие названия товара №FQPF6N80C_NL
Высота 16.07 мм
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V N-Ch Q-FET advance C-Series
Вес и габариты
длина10.36 mm
другие названия товара №FQPF6N80C_NL
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки5.5 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5.4 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности51 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток2.5 Ohms
серияFQPF6N80C
технологияSi
типичное время задержки при включении26 ns
типичное время задержки выключения47 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания65 ns
время спада44 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль