FQPF33N10

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.36 mm
другие названия товара №FQPF33N10_NL
Высота 16.07 мм
520
+
Бонус: 10.4 !
Бонусная программа
Итого: 520
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.36 mm
другие названия товара №FQPF33N10_NL
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки18 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.20 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности41 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток52 mOhms
серияFQPF33N10
технологияSi
типичное время задержки при включении15 ns
типичное время задержки выключения80 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток25 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания195 ns
время спада110 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль