FQPF22P10

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 100V P-Channel QFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeP
длина10.36 mm
780
+
Бонус: 15.6 !
Бонусная программа
Итого: 780
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 100V P-Channel QFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeP
длина10.36 mm
другие названия товара №FQPF22P10_NL
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки13.2 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.11 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
maximum continuous drain current9.3 A
maximum drain source resistance125 mΩ
maximum drain source voltage100 V
maximum gate source voltage-30 V, +30 V
maximum operating temperature+175 C
maximum power dissipation45 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum gate threshold voltage2V
minimum operating temperature-55 C
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package typeTO-220F
pd - рассеивание мощности45 W
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток125 mOhms
seriesQFET
серияFQPF22P10
технологияSi
типичное время задержки при включении17 ns
типичное время задержки выключения60 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
transistor configurationSingle
transistor materialSi
ТипMOSFET
typical gate charge @ vgs40 nC 10 V
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания170 ns
время спада110 ns
Ширина4.9 мм
width4.9mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль