FQPF13N50CF

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор HIGH VOLTAGE
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки13 A
840
+
Бонус: 16.8 !
Бонусная программа
Итого: 840
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор HIGH VOLTAGE
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки13 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.15 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности48 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток540 mOhms
серияFQPF13N50CF
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения130 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток500 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания100 ns
время спада100 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль