FQPF11P06

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V P-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки8.6 A
420
+
Бонус: 8.4 !
Бонусная программа
Итого: 420
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 60V P-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки8.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.75 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности30 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток175 mOhms
серияFQPF11P06
технологияSi
типичное время задержки при включении6.5 ns
типичное время задержки выключения15 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток25 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания40 ns
время спада45 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль