FQP8P10, Силовой МОП-транзистор, P Канал, 100 В, 8 А, 0.41 Ом, TO-220, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP8P10
МОП-транзистор 100V P-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
230
+
Бонус: 4.6 !
Бонусная программа
Итого: 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 100V P-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.3 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности65 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
qg - заряд затвора15 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток530 mOhms
серияFQP8P10
технологияSi
типичное время задержки при включении11 ns
типичное время задержки выключения20 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г2
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания110 ns
время спада35 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль