FQP7N20, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 200В, 4,2А, Idm: 26А, 63Вт, TO220AB
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP7N20
- Обзор
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
МОП-транзистор 200V N-Channel QFET
| Вес и габариты | |
| длина | 10.67 mm |
| Высота | 16.3 мм |
| id - непрерывный ток утечки | 6.6 A |
| канальный режим | Enhancement |
| категория продукта | МОП-транзистор |
| количество каналов | 1 Channel |
| конфигурация | Single |
| крутизна характеристики прямой передачи - мин. | 4 S |
| максимальная рабочая температура | + 150 C |
| минимальная рабочая температура | 55 C |
| pd - рассеивание мощности | 63 W |
| подкатегория | MOSFETs |
| полярность транзистора | N-Channel |
| qg - заряд затвора | 10 nC |
| размер фабричной упаковки | 1000 |
| rds вкл - сопротивление сток-исток | 690 mOhms |
| серия | FQP7N20 |
| технология | Si |
| типичное время задержки при включении | 8 ns |
| типичное время задержки выключения | 15 ns |
| тип продукта | MOSFET |
| тип транзистора | 1 N-Channel |
| торговая марка | ON Semiconductor / Fairchild |
| Тип | MOSFET |
| упаковка | Tube |
| упаковка / блок | TO-220-3 |
| vds - напряжение пробоя сток-исток | 200 V |
| вес, г | 2.03 |
| vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| вид монтажа | Through Hole |
| время нарастания | 65 ns |
| время спада | 35 ns |
| Ширина | 4.7 мм |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26