FQP55N10, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 100 В, 55 А, 0.021 Ом, TO-220

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP55N10
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №FQP55N10_NL
Высота 16.3 мм
440
+
Бонус: 8.8 !
Бонусная программа
Итого: 440
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №FQP55N10_NL
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки55 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.38 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности155 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора98 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток26 mOhms
серияFQP55N10
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения110 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г2
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания250 ns
время спада140 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль