FQP3N60C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 1,8А, Idm: 12А, 75Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP3N60C
МОП-транзистор N-CH/600V 3A/3.6OHM
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки3 A
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор N-CH/600V 3A/3.6OHM
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности75 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток3.4 Ohms
серияFQP3N60C
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
вес, г2.03
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания30 ns
время спада35 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль