FQP33N10, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100В, 23А, 127Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP33N10
МОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина10.67 mm
drain source on state resistance0.052Ом
210
+
Бонус: 4.2 !
Бонусная программа
Итого: 210
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина10.67 mm
drain source on state resistance0.052Ом
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки33 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.22 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока33А
pd - рассеивание мощности127 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation127Вт
qg - заряд затвора51 nC
рассеиваемая мощность127Вт
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток52 mOhms
серияFQP33N10
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.052Ом
стиль корпуса транзистораTO-220
технологияSi
типичное время задержки при включении15 ns
типичное время задержки выключения80 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г1.94
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания195 ns
время спада110 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль