FQP30N06

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор 60V N-Channel QFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
длина10.67 mm
69
+
Бонус: 1.38 !
Бонусная программа
Итого: 69
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 60V N-Channel QFET
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel typeN
длина10.67 mm
другие названия товара №FQP30N06_NL
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки30 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.16 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
maximum continuous drain current30 A
maximum drain source resistance40 mΩ
maximum drain source voltage60 V
maximum gate source voltage-25 V, +25 V
maximum operating temperature+175 C
maximum power dissipation79 W
минимальная рабочая температура55 C
minimum gate threshold voltage2V
minimum operating temperature-55 C
mounting typeThrough Hole
number of elements per chip1
package typeTO-220AB
pd - рассеивание мощности79 W
pin count3
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток40 mOhms
seriesQFET
серияFQP30N06
технологияSi
типичное время задержки при включении10 ns
типичное время задержки выключения35 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
transistor configurationSingle
transistor materialSi
ТипMOSFET
typical gate charge @ vgs19 nC 10 V
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток60 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания85 ns
время спада40 ns
Ширина4.7 мм
width4.7mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль