FQP17P10, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -100В, -11,7А, 100Вт, TO220-3

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP17P10
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина10.1мм
330
+
Бонус: 6.6 !
Бонусная программа
Итого: 330
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина10.1мм
Высота 9.4 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+175 °C
максимальное напряжение сток-исток100 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности10 Вт
максимальное сопротивление сток-исток190 мΩ
максимальный непрерывный ток стока16,5 A
материал транзистораКремний
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage2V
номер каналаПоднятие
размеры10.1 x 4.7 x 9.4мм
серияQFET
типичная входная емкость при vds850 pF @ 25 V
типичное время задержки включения17 нс
типичное время задержки выключения45 ns
типичный заряд затвора при vgs30 нКл при 10 В
тип каналаA, P
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
вес, г2
Ширина4.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль