FQP13N10L

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
The FQP13N10L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications. • 100% avalanche tested• 8.7nC typical low gate charge• 100pF typical low Crss
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.142Ом
количество выводов3вывод(-ов)
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
The FQP13N10L is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.
• 100% avalanche tested• 8.7nC typical low gate charge• 100pF typical low Crss
Вес и габариты
channel typeN Channel
drain source on state resistance0.142Ом
количество выводов3вывод(-ов)
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока12.8А
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation65Вт
рассеиваемая мощность65Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.142Ом
стиль корпуса транзистораTO-220AB
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль