FQP12P20

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220, инфо: Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина10.1мм
81
+
Бонус: 1.62 !
Бонусная программа
Итого: 81
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-220, инфо: Транзистор полевой P-канальный 200В 11.5A
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина10.1мм
Высота 9.4 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток200 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 V, +30 V
максимальное рассеяние мощности120 Вт
максимальное сопротивление сток-исток470 mΩ
максимальный непрерывный ток стока11.5 A
материал транзистораКремний
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage3V
номер каналаПоднятие
размеры10.1 x 4.7 x 9.4мм
серияQFET
типичная входная емкость при vds920 pF @ 25 V
типичное время задержки включения20 ns
типичное время задержки выключения40 нс
типичный заряд затвора при vgs31 nC @ 10 V
тип каналаA, P
тип корпусаTO-220AB
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
вес, г2.82
Ширина4.7 м
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль