FQP11N40C, Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 6,6А, 135Вт, TO220AB

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQP11N40C
Полупроводники\ТранзисторыМОП-транзистор 400V N-Channel Advance Q-FET
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №FQP11N40C_NL
Высота 16.3 мм
270
+
Бонус: 5.4 !
Бонусная программа
Итого: 270
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники\ТранзисторыМОП-транзистор 400V N-Channel Advance Q-FET
Вес и габариты
длина10.67 mm
другие названия товара №FQP11N40C_NL
Высота 16.3 мм
id - непрерывный ток утечки11 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.7.1 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности135 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора35 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток530 mOhms
серияFQP11N40C
технологияSi
типичное время задержки при включении14 ns
типичное время задержки выключения81 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток400 V
вес, г1.94
vgs - напряжение затвор-исток30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания89 ns
время спада81 ns
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль