FQI7N80TU

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.29 mm
другие названия товара №FQI7N80TU_NL
Высота 7.88 мм
810
+
Бонус: 16.2 !
Бонусная программа
Итого: 810
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 800V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.29 mm
другие названия товара №FQI7N80TU_NL
Высота 7.88 мм
id - непрерывный ток утечки6.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.5 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3.13 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток1.5 Ohms
серияFQI7N80
технологияSi
типичное время задержки при включении35 ns
типичное время задержки выключения95 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковкаTube
упаковка / блокTO-262-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г2.084
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания80 ns
время спада55 ns
Ширина4.83 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль