FQD8P10TM — купить | ООО «Телеметрия» 


FQD8P10TM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
240
- +
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты

► Купить FQD8P10TM в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

Цена: 240 руб.

Почему выбирают нас:

  • ✓ Оригинальная продукция
  • ✓ Быстрая доставка по Москве и России
  • ✓ Гарантия качества
  • ✓ Консультация специалиста

Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time35 ns
forward transconductance - min4.1 S
id - continuous drain current6.6 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesFQD8P10TM_NL
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance530 mOhms
rise time110 ns
seriesFQD8P10
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time20 ns
typical turn-on delay time11 ns
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vgs - gate-source voltage30 V
0.0
общая оценка
Всего 0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
0 отзывов
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль