FQD8P10TM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
240
+
Бонус: 4.8 !
Бонусная программа
Итого: 240
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time35 ns
forward transconductance - min4.1 S
id - continuous drain current6.6 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesFQD8P10TM_NL
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance530 mOhms
rise time110 ns
seriesFQD8P10
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time20 ns
typical turn-on delay time11 ns
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vgs - gate-source voltage30 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль