Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Ch QFET Logic Level
Вес и габариты
длина:
6.73 mm
другие названия товара №:
FQD7N10LTM_NL
id - непрерывный ток утечки:
5.8 A
канальный режим:
Enhancement
категория продукта:
МОП-транзистор
количество каналов:
1 Channel
конфигурация:
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:
4.6 S
максимальная рабочая температура:
+ 150 C
минимальная рабочая температура:
- 55 C
pd - рассеивание мощности:
2.5 W
подкатегория:
MOSFETs
полярность транзистора:
N-Channel
производитель:
ON Semiconductor
qg - заряд затвора:
6 nC
размер фабричной упаковки:
2500
rds вкл - сопротивление сток-исток:
350 mOhms
серия:
FQD7N10L
ширина:
6.22 mm
технология:
Si
типичное время задержки при включении:
9 ns
типичное время задержки выключения:
17 ns
тип:
MOSFET
тип продукта:
MOSFET
тип транзистора:
1 N-Channel
торговая марка:
ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок:
TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток:
100 V
вес, г
0.2604
vgs - напряжение затвор-исток:
- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :
1 V
вид монтажа:
SMD/SMT
время нарастания:
100 ns
время спада:
50 ns
высота:
2.39 mm
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26