FQD7N10LTM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Ch QFET Logic Level
Вес и габариты
длина:6.73 mm
другие названия товара №:FQD7N10LTM_NL
id - непрерывный ток утечки:5.8 A
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Все продукты\Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Ch QFET Logic Level
Вес и габариты
длина:6.73 mm
другие названия товара №:FQD7N10LTM_NL
id - непрерывный ток утечки:5.8 A
канальный режим:Enhancement
категория продукта:МОП-транзистор
количество каналов:1 Channel
конфигурация:Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.:4.6 S
максимальная рабочая температура:+ 150 C
минимальная рабочая температура:- 55 C
pd - рассеивание мощности:2.5 W
подкатегория:MOSFETs
полярность транзистора:N-Channel
производитель:ON Semiconductor
qg - заряд затвора:6 nC
размер фабричной упаковки:2500
rds вкл - сопротивление сток-исток:350 mOhms
серия:FQD7N10L
ширина:6.22 mm
технология:Si
типичное время задержки при включении:9 ns
типичное время задержки выключения:17 ns
тип:MOSFET
тип продукта:MOSFET
тип транзистора:1 N-Channel
торговая марка:ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок:TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток:100 V
вес, г0.2604
vgs - напряжение затвор-исток:- 20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток :1 V
вид монтажа:SMD/SMT
время нарастания:100 ns
время спада:50 ns
высота:2.39 mm
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль