FQD5P20TM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
390
+
Бонус: 7.8 !
Бонусная программа
Итого: 390
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time25 ns
forward transconductance - min2.2 S
id - continuous drain current3.7 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesFQD5P20TM_NL
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance1.4 Ohms
rise time70 ns
seriesFQD5P20
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityP-Channel
transistor type1 P-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time12 ns
typical turn-on delay time9 ns
vds - drain-source breakdown voltage200 V
vgs - gate-source voltage30 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль