Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-252-3, инфо: Транзистор полевой P-канальный 500В 2.1AМОП-транзистор 500V P-Channel QFET

Подробное описание

Вес и габариты
длина	6.6 mm
Высота	2.3 мм
id - непрерывный ток утечки	2.1 A

Все характеристики

80 ₽

– +

Бонус: 1.6 !

Бонусная программа

Итого: 80 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	6.6 mm
Высота	2.3 мм
id - непрерывный ток утечки	2.1 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	QFET
конфигурация	Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.	2.1 S
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	2.5 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	P-Channel
размер фабричной упаковки	2500
rds вкл - сопротивление сток-исток	4.9 Ohms
серия	FQD3P50
технология	Si
типичное время задержки при включении	12 ns
типичное время задержки выключения	35 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 P-Channel
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
Тип	MOSFET
упаковка / блок	DIE
vds - напряжение пробоя сток-исток	500 V
вес, г	0.38
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	56 ns
время спада	45 ns
Ширина	6.1 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

FQD3P50TM