Name: FQD3N60CTM-WS, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 600 В, 2.4 А, 2.8 Ом, TO-252 (DPAK), Surface Mount
SKU: FQD3N60CTM-WS

МОП-транзистор 600V 2.4A N-Channel Q-FET

Подробное описание

300 ₽

– +

Бонус: 6 !

Бонусная программа

Итого: 300 ₽

Купить

МОП-транзистор 600V 2.4A N-Channel Q-FET

Вес и габариты
длина	6.73 mm
другие названия товара №	FQD3N60CTM_WS
Высота	2.39 мм
id - непрерывный ток утечки	2.4 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	QFET
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	50 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
qg - заряд затвора	14 nC
размер фабричной упаковки	2500
rds вкл - сопротивление сток-исток	3.4 Ohms
серия	FQD3N60CTM_WS
технология	Si
типичное время задержки при включении	12 ns
типичное время задержки выключения	35 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блок	TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	600 V
вес, г	0.5
vgs - напряжение затвор-исток	30 V, + 30 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	2 V
вид монтажа	SMD/SMT
время нарастания	30 ns
время спада	35 ns
Ширина	6.22 мм

Отзывов нет

Кнопки