FQD19N10LTM, MOSFET 100V N-Ch QFET Logic Level

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQD19N10LTM
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel mode:Enhancement
configurationSingle
290
+
Бонус: 5.8 !
Бонусная программа
Итого: 290
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET Решения для управления питанием в облаке Решения для управления питанием в облаке onsemi повышают эффективность, упрощая конструкцию системы, уменьшая пространство на плате, повышая надежность и ускоряя вывод на рынок. Поскольку к 2030 году мировой спрос на энергию вырастет на 35–40%, онполу обеспечивает основные промышленные продукты низкой эффективностью, чтобы экономить энергию, которую мы используем каждый день.
Вес и габариты
channel modeEnhancement
channel mode:Enhancement
configurationSingle
configuration:Single
factory pack quantity2500
factory pack quantity: factory pack quantity:2500
fall time140 ns
fall time:140 ns
forward transconductance - min14 S
forward transconductance - min:14 S
id - continuous drain current15.6 A
id - continuous drain current:15.6 A
manufacturerON Semiconductor
manufacturer:onsemi
maximum operating temperature+150 C
maximum operating temperature:+150 C
minimum operating temperature-55 C
minimum operating temperature:-55 C
mounting styleSMD/SMT
mounting style:SMD/SMT
number of channels1 Channel
number of channels:1 Channel
package / caseTO-252-3
package/case:DPAK-3
packagingCut Tape or Reel
packaging:Reel, Cut Tape, MouseReel
pd - power dissipation2.5 W
pd - power dissipation:2.5 W
product categoryMOSFET
product category:MOSFET
product typeMOSFET
product type:MOSFET
qg - gate charge:18 nC
rds on - drain-source resistance100 mOhms
rds on - drain-source resistance:100 mOhms
rise time410 ns
rise time:410 ns
seriesFQD19N10L
series:FQD19N10L
subcategoryMOSFETs
subcategory:MOSFETs
technologySi
technology:Si
transistor polarityN-Channel
transistor polarity:N-Channel
transistor type1 N-Channel
transistor type:1 N-Channel
typeMOSFET
type:MOSFET
typical turn-off delay time20 ns
typical turn-off delay time:20 ns
typical turn-on delay time14 ns
typical turn-on delay time:14 ns
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vds - drain-source breakdown voltage:100 V
вес, г0.33
vgs - gate-source voltage20 V
vgs - gate-source voltage:-20 V, +20 V
vgs th - gate-source threshold voltage:1 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль