FQD18N20V2TM, Trans MOSFET N-CH 200V 15A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул:FQD18N20V2TM
Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты
МОП-транзистор 200V N-Ch adv QFET V2 Series
Вес и габариты
длина
6.73 mm
Высота
2.39 мм
id - непрерывный ток утечки
15 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
11 S
максимальная рабочая температура
+ 150 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
2.5 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
размер фабричной упаковки
2500
rds вкл - сопротивление сток-исток
140 mOhms
серия
FQD18N20V2
технология
Si
типичное время задержки при включении
16 ns
типичное время задержки выключения
38 ns
тип продукта
MOSFET
тип транзистора
1 N-Channel
торговая марка
ON Semiconductor / Fairchild
Тип
MOSFET
упаковка / блок
TO-252-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
200 V
vgs - напряжение затвор-исток
30 V
вид монтажа
SMD/SMT
время нарастания
133 ns
время спада
62 ns
Ширина
6.22 мм
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26