260 ₽

- +

Бонус: 5.2 !

Бонусная программа

Итого: 260 ₽

Купить

► Купить FQD13N10LTM в интернет-магазине ООО «Телеметрия».

■ Категория: Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)

★ Цена: 260 руб.

Почему выбирают нас:

☎ Заказать: +7 (929) 433-44-45

Вес и габариты
channel mode	Enhancement
configuration	Single
factory pack quantity	2500
fall time	72 ns
forward transconductance - min	8.7 S
id - continuous drain current	10 A
manufacturer	ON Semiconductor
maximum operating temperature	+150 C
minimum operating temperature	-55 C
mounting style	SMD/SMT
number of channels	1 Channel
package / case	TO-252-3
packaging	Cut Tape or Reel
pd - power dissipation	2.5 W
product category	MOSFET
product type	MOSFET
rds on - drain-source resistance	180 mOhms
rise time	220 ns
series	FQD13N10L
subcategory	MOSFETs
technology	Si
transistor polarity	N-Channel
transistor type	1 N-Channel
type	MOSFET
typical turn-off delay time	22 ns
typical turn-on delay time	7.5 ns
vds - drain-source breakdown voltage	100 V
vgs - gate-source voltage	20 V

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки