FQD13N10LTM, Trans MOSFET N-CH 100V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQD13N10LTM
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
160
+
Бонус: 3.2 !
Бонусная программа
Итого: 160
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time72 ns
forward transconductance - min8.7 S
id - continuous drain current10 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance180 mOhms
rise time220 ns
seriesFQD13N10L
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time22 ns
typical turn-on delay time7.5 ns
vds - drain-source breakdown voltage100 V
vgs - gate-source voltage20 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль