FQD13N06LTM, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 11 А, 0.092 Ом, TO-252AA, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQD13N06LTM
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
180
+
Бонус: 3.6 !
Бонусная программа
Итого: 180
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Вес и габариты
channel modeEnhancement
configurationSingle
factory pack quantity2500
fall time40 ns
forward transconductance - min6 S
id - continuous drain current11 A
manufacturerON Semiconductor
maximum operating temperature+150 C
minimum operating temperature-55 C
mounting styleSMD/SMT
number of channels1 Channel
package / caseTO-252-3
packagingCut Tape or Reel
part # aliasesFQD13N06LTM_NL
pd - power dissipation2.5 W
product categoryMOSFET
product typeMOSFET
rds on - drain-source resistance115 mOhms
rise time90 ns
seriesFQD13N06L
subcategoryMOSFETs
technologySi
transistor polarityN-Channel
transistor type1 N-Channel
typeMOSFET
typical turn-off delay time20 ns
typical turn-on delay time8 ns
vds - drain-source breakdown voltage60 V
вес, г0.26
vgs - gate-source voltage20 V
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль