FQB7P20TM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 200V P-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки7.3 A
600
+
Бонус: 12 !
Бонусная программа
Итого: 600
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 200V P-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки7.3 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.4.4 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3.13 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораP-Channel
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток690 mOhms
серияFQB7P20
технологияSi
типичное время задержки при включении15 ns
типичное время задержки выключения30 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 P-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
вес, г1.312
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания110 ns
время спада42 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль