FQB55N10TM

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки55 A
790
+
Бонус: 15.8 !
Бонусная программа
Итого: 790
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-Channel QFET
Вес и габариты
длина10.67 mm
Высота 4.83 мм
id - непрерывный ток утечки55 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.38 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности3.75 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки800
rds вкл - сопротивление сток-исток26 mOhms
серияFQB55N10
технологияSi
типичное время задержки при включении25 ns
типичное время задержки выключения110 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокTO-263-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г1.312
vgs - напряжение затвор-исток25 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания250 ns
время спада140 ns
Ширина9.65 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль