Транзисторы / Полевые транзисторы / Одиночные MOSFET транзисторыкорпус: TO-3P(N), инфо: Транзистор полевой N-канальный 800В 12.6AМОП-транзистор TO-3P N-CH 600V

Подробное описание

Вес и габариты
длина	16.2 mm
другие названия товара №	FQA13N80_F109
Высота	20.1 мм

Все характеристики

310 ₽

– +

Бонус: 6.2 !

Бонусная программа

Итого: 310 ₽

Купить

Обзор
Характеристики
Отзывы (0)
Реквизиты

Вес и габариты
длина	16.2 mm
другие названия товара №	FQA13N80_F109
Высота	20.1 мм
id - непрерывный ток утечки	12.6 A
канальный режим	Enhancement
категория продукта	МОП-транзистор
количество каналов	1 Channel
коммерческое обозначение	QFET
конфигурация	Single
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	55 C
pd - рассеивание мощности	300 W
подкатегория	MOSFETs
полярность транзистора	N-Channel
размер фабричной упаковки	450
rds вкл - сопротивление сток-исток	750 mOhms
серия	FQA13N80_F109
технология	Si
типичное время задержки при включении	60 ns
типичное время задержки выключения	155 ns
тип продукта	MOSFET
тип транзистора	1 N-Channel
торговая марка	ON Semiconductor / Fairchild
упаковка	Tube
упаковка / блок	TO-3PN-3
vds - напряжение пробоя сток-исток	800 V
вес, г	7.66
vgs - напряжение затвор-исток	30 V
вид монтажа	Through Hole
время нарастания	150 ns
время спада	110 ns
Ширина	5 мм

Отзывов нет

Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26

Кнопки

FQA13N80_F109