FQA10N80C-F109, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 800 В, 10 А, 0.93 Ом, TO-3PN, Through Hole

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FQA10N80C-F109
МОП-транзистор 800V N-Ch QFET Advance
Вес и габариты
длина16.2 mm
другие названия товара №FQA10N80C_F109
Высота 20.1 мм
940
+
Бонус: 18.8 !
Бонусная программа
Итого: 940
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор 800V N-Ch QFET Advance
Вес и габариты
длина16.2 mm
другие названия товара №FQA10N80C_F109
Высота 20.1 мм
id - непрерывный ток утечки10 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеQFET
конфигурацияSingle
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности240 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки450
rds вкл - сопротивление сток-исток1.1 Ohms
серияFQA10N80C_F109
технологияSi
типичное время задержки при включении50 ns
типичное время задержки выключения90 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-3PN-3
vds - напряжение пробоя сток-исток800 V
вес, г6.401
vgs - напряжение затвор-исток30 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания130 ns
время спада80 ns
Ширина5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль