FF2MR12KM1PHOSA1

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Модули MOSFETкол-во в упаковке: 8, АБДискретные полупроводниковые модули
Вес и габариты
другие названия товара №SP005349765
id - непрерывный ток утечки500 A
категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
64 000
+
Бонус: 1280 !
Бонусная программа
Итого: 64 000
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Модули MOSFETкол-во в упаковке: 8, АБДискретные полупроводниковые модули
Вес и габариты
другие названия товара №SP005349765
id - непрерывный ток утечки500 A
категория продуктаДискретные полупроводниковые модули
коммерческое обозначениеCoolSiC
конфигурацияHalf-Bridge
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура40 C
подкатегорияDiscrete Semiconductor Modules
полярность транзистораN-Channel
продуктPower MOSFET Modules
размер фабричной упаковки8
rds вкл - сопротивление сток-исток2.13 mOhms
серияCoolSiC Module
типичное время задержки при включении83.4 ns
типичное время задержки выключения22 ns
тип продуктаDiscrete Semiconductor Modules
торговая маркаInfineon Technologies
ТипSiC Power Module
упаковкаTray
упаковка / блокModule
vds - напряжение пробоя сток-исток1200 V
вес, г422.5
vf - прямое напряжение4.6 V
vgs - напряжение затвор-исток10 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.45 V
вид монтажаScrew Mount
время нарастания82.2 ns
время спада53 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль