Модули MOSFETкол-во в упаковке: 8, АБДискретные полупроводниковые модули

Подробное описание

Вес и габариты
другие названия товара №	SP005349765
id - непрерывный ток утечки	500 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули

64 000 ₽

- +

Бонус: 1280 !

Бонусная программа

Итого: 64 000 ₽

Купить

Модули MOSFETкол-во в упаковке: 8, АБДискретные полупроводниковые модули

Вес и габариты
другие названия товара №	SP005349765
id - непрерывный ток утечки	500 A
категория продукта	Дискретные полупроводниковые модули
коммерческое обозначение	CoolSiC
конфигурация	Half-Bridge
максимальная рабочая температура	+ 150 C
минимальная рабочая температура	40 C
подкатегория	Discrete Semiconductor Modules
полярность транзистора	N-Channel
продукт	Power MOSFET Modules
размер фабричной упаковки	8
rds вкл - сопротивление сток-исток	2.13 mOhms
серия	CoolSiC Module
типичное время задержки при включении	83.4 ns
типичное время задержки выключения	22 ns
тип продукта	Discrete Semiconductor Modules
торговая марка	Infineon Technologies
Тип	SiC Power Module
упаковка	Tray
упаковка / блок	Module
vds - напряжение пробоя сток-исток	1200 V
вес, г	422.5
vf - прямое напряжение	4.6 V
vgs - напряжение затвор-исток	10 V, 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток	3.45 V
вид монтажа	Screw Mount
время нарастания	82.2 ns
время спада	53 ns

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

FF2MR12KM1PHOSA1