Name: FF11MR12W1M1B11BOMA1, Silicon Carbide MOSFET, модуль EasyDual, Half Bridge, N Канал, 100 А, 1.2 кВ,
SKU: FF11MR12W1M1B11BOMA1

Mosfet Array 2, N-канал (двойной), 1200 В (1,2 кВ), 100 А, модуль для монтажа на шасси

Подробное описание

Вес и габариты
base product number	FF11MR12 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	100A
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)

35 830 ₽

– +

Бонус: 716.6 !

Бонусная программа

Итого: 35 830 ₽

Купить

Mosfet Array 2, N-канал (двойной), 1200 В (1,2 кВ), 100 А, модуль для монтажа на шасси

Вес и габариты
base product number	FF11MR12 ->
current - continuous drain (id) @ 25в°c	100A
drain to source voltage (vdss)	1200V (1.2kV)
eccn	EAR99
fet feature	Silicon Carbide (SiC)
fet type	2 N-Channel (Dual)
gate charge (qg) (max) @ vgs	250nC @ 15V
htsus	8541.29.0095
input capacitance (ciss) (max) @ vds	7950pF @ 800V
moisture sensitivity level (msl)	Not Applicable
mounting type	Chassis Mount
operating temperature	-40В°C ~ 150В°C (TJ)
package	Tray
package / case	Module
rds on (max) @ id, vgs	11mOhm @ 100A, 15V
reach status	REACH Unaffected
rohs status	ROHS3 Compliant
series	CoolSiCв„ў+ ->
supplier device package	Module
вес, г	2.27
vgs(th) (max) @ id	5.55V @ 40mA

Отзывов нет

Кнопки