FDT86102LZ, Силовой МОП-транзистор, N Channel, 100 В, 6.6 А, 0.022 Ом, SOT-223, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDT86102LZ
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThis N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels. • Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина6.5 mm
drain source on state resistance0.022Ом
490
+
Бонус: 9.8 !
Бонусная программа
Итого: 490
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторыThis N Channel MOSFET is produced using Fairchild Semiconductors advance PowerTrench® process that has been especially tailored to minimise the on state resistance and switch loss. G-S Zener has been added to enhance ESD voltage levels.
• Suitable for DC/DC conversion, inverter and synchronous rectifier
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина6.5 mm
drain source on state resistance0.022Ом
Высота 1.8 мм
id - непрерывный ток утечки6.6 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов4вывод(-ов)
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.26 S
линейка продукцииPowerTrench
максимальная рабочая температура150 C
минимальная рабочая температура55 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока6.6А
pd - рассеивание мощности2.2 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN Канал
пороговое напряжение vgs1.4В
power dissipation2.2Вт
qg - заряд затвора25 nC
рассеиваемая мощность2.2Вт
размер фабричной упаковки4000
rds вкл - сопротивление сток-исток28 mOhms
серияFDT86102LZ
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.022Ом
стиль корпуса транзистораSOT-223
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковка / блокSOT-223-4
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г0.44
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1 V
вид монтажаSMD/SMT
Ширина3.5 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль