FDS8949, Транзистор N-MOSFET x2, полевой, 40В, 6А, 2Вт, SO8, PowerTrench®

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDS8949
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов8
длина5мм
410
+
Бонус: 8.2 !
Бонусная программа
Итого: 410
Купить
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов8
длина5мм
Высота 2 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис2
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток40 В
максимальное напряжение затвор-исток-20 В, +20 В
максимальное рассеяние мощности2 Вт
максимальное сопротивление сток-исток29 mΩ
максимальный непрерывный ток стока6 A
материал транзистораSI
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage1V
номер каналаПоднятие
размеры5 x 4 x 1.5мм
типичная входная емкость при vds715 пФ при 20 В
типичное время задержки включения9 нс
типичное время задержки выключения23 нс
типичный заряд затвора при vgs7,7 нКл при 5 В
тип каналаN
тип корпусаSOIC
тип монтажаПоверхностный монтаж
transistor configurationИзолированный
вес, г1
Ширина4 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль