FDS86267P, Trans MOSFET P-CH 150V 2.2A 8-Pin SOIC T/R
Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDS86267P
- Характеристики
- Отзывы (0)
- Реквизиты
| Вес и габариты | |
| channel type | P Channel |
| drain source on state resistance | 0.191Ом |
| количество выводов | 8вывод(-ов) |
| линейка продукции | PowerTrench |
| максимальная рабочая температура | 150 C |
| монтаж транзистора | Surface Mount |
| напряжение истока-стока vds | 150В |
| напряжение измерения rds(on) | 10В |
| непрерывный ток стока | 2.2А |
| полярность транзистора | P Канал |
| пороговое напряжение vgs | 3В |
| power dissipation | 2.5Вт |
| рассеиваемая мощность | 2.5Вт |
| сопротивление во включенном состоянии rds(on) | 0.191Ом |
| стиль корпуса транзистора | SOIC |
| уровень чувствительности к влажности (msl) | MSL 1-Безлимитный |
Отзывов нет
Компания ООО "Телеметрия"
- Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ" Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38 ИНН 7536172565 КПП 381201001 ОГРН 1187536004215 Расчетный счет 40702810010000426573 Банк АО «Тинькофф Банк» БИК банка 044525974 ИНН банка 7710140679 Корреспондентский счет банка 30101810145250000974 Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26