FDS86267P, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 150 В, 2.2 А, 0.191 Ом, SOIC, Surface Mount

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Артикул: FDS86267P
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance0.191Ом
количество выводов8вывод(-ов)
450
+
Бонус: 9 !
Бонусная программа
Итого: 450
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы
Вес и габариты
channel typeP Channel
drain source on state resistance0.191Ом
количество выводов8вывод(-ов)
линейка продукцииPowerTrench
максимальная рабочая температура150 C
монтаж транзистораSurface Mount
напряжение истока-стока vds150В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока2.2А
полярность транзистораP Канал
пороговое напряжение vgs
power dissipation2.5Вт
рассеиваемая мощность2.5Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.191Ом
стиль корпуса транзистораSOIC
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
вес, г0.4
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль