Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Подробное описание

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	0.191Ом
количество выводов	8вывод(-ов)

450 ₽

- +

Бонус: 9 !

Бонусная программа

Итого: 450 ₽

Купить

Полупроводники - Дискретные\МОП-транзисторы\Одиночные МОП-транзисторы

Вес и габариты
channel type	P Channel
drain source on state resistance	0.191Ом
количество выводов	8вывод(-ов)
линейка продукции	PowerTrench
максимальная рабочая температура	150 C
монтаж транзистора	Surface Mount
напряжение истока-стока vds	150В
напряжение измерения rds(on)	10В
непрерывный ток стока	2.2А
полярность транзистора	P Канал
пороговое напряжение vgs	3В
power dissipation	2.5Вт
рассеиваемая мощность	2.5Вт
сопротивление во включенном состоянии rds(on)	0.191Ом
стиль корпуса транзистора	SOIC
уровень чувствительности к влажности (msl)	MSL 1-Безлимитный
вес, г	0.4

0.0

общая оценка

Всего 0 отзывов

0 отзывов

Отзывов нет

Кнопки

FDS86267P, Силовой МОП-транзистор, P Channel, 150 В, 2.2 А, 0.191 Ом, SOIC, Surface Mount