FDS3512

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SO-8
Вес и габариты
длина4.9 mm
другие названия товара №FDS3512_NL
Высота 1.75 мм
830
+
Бонус: 16.6 !
Бонусная программа
Итого: 830
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор SO-8
Вес и габариты
длина4.9 mm
другие названия товара №FDS3512_NL
Высота 1.75 мм
id - непрерывный ток утечки4 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle Quad Drain Triple Source
крутизна характеристики прямой передачи - мин.14 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности2.5 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
размер фабричной упаковки2500
rds вкл - сопротивление сток-исток70 mOhms
серияFDS3512
технологияSi
типичное время задержки при включении7 ns
типичное время задержки выключения24 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
ТипMOSFET
упаковка / блокSO-8
vds - напряжение пробоя сток-исток80 V
вес, г0.13
vgs - напряжение затвор-исток20 V
вид монтажаSMD/SMT
время нарастания3 ns
время спада4 ns
Ширина3.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль