Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки
76 A
канальный режим
Enhancement
категория продукта
МОП-транзистор
количество каналов
1 Channel
конфигурация
Single
крутизна характеристики прямой передачи - мин.
68 S
максимальная рабочая температура
+ 175 C
минимальная рабочая температура
55 C
pd - рассеивание мощности
35 W
подкатегория
MOSFETs
полярность транзистора
N-Channel
qg - заряд затвора
34 nC
размер фабричной упаковки
1000
rds вкл - сопротивление сток-исток
8.5 mOhms
технология
Si
типичное время задержки при включении
12 ns
типичное время задержки выключения
18 ns
тип продукта
MOSFET
торговая марка
ON Semiconductor
упаковка
Tube
упаковка / блок
TO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток
100 V
вес, г
2.861
vgs - напряжение затвор-исток
20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток
2 V
вид монтажа
Through Hole
время нарастания
11 ns
время спада
4 ns
Отзывов нет
Название организации: ООО "ТЕЛЕМЕТРИЯ"
Юридический адрес организации: Российская Федерация, 664043, Иркутская область, г. Иркутск, ул. Маршала Конева, дом 38
ИНН 7536172565
КПП 381201001
ОГРН 1187536004215
Расчетный счет 40702810010000426573
Банк АО «Тинькофф Банк»
БИК банка 044525974
ИНН банка 7710140679
Корреспондентский счет банка 30101810145250000974
Юридический адрес банка 127287, г. Москва, ул. Хуторская 2-я, д. 38А, стр. 26