FDPF8D5N10C

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки76 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
1 230
+
Бонус: 24.6 !
Бонусная программа
Итого: 1 230
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор FET 100V 76A 8.5 mOhm
Вес и габариты
id - непрерывный ток утечки76 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.68 S
максимальная рабочая температура+ 175 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности35 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
qg - заряд затвора34 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток8.5 mOhms
технологияSi
типичное время задержки при включении12 ns
типичное время задержки выключения18 ns
тип продуктаMOSFET
торговая маркаON Semiconductor
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г2.861
vgs - напряжение затвор-исток20 V, + 20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания11 ns
время спада4 ns
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль