FDPF4N60NZ

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
МОП-транзистор Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки3.8 A
Цена по запросу
+
Бонус: 0 !
Бонусная программа
Итого: 0
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
МОП-транзистор Dual 2A High-Speed Low-Side Gate Driver
Вес и габариты
длина10.36 mm
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки3.8 A
канальный режимEnhancement
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов2 Channel
коммерческое обозначениеUniFET
конфигурацияDual
крутизна характеристики прямой передачи - мин.3.3 S
максимальная рабочая температура+ 150 C
минимальная рабочая температура55 C
pd - рассеивание мощности28 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
продуктMOSFET
qg - заряд затвора8.3 nC
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток2.5 Ohms
серияFDPF4N60NZ
технологияSi
типичное время задержки при включении12.7 ns
типичное время задержки выключения30.2 ns
тип продуктаMOSFET
тип транзистора2 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220-3
vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток5 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания15.1 ns
время спада12.8 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль