FDPF16N50

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более...
ON Semiconductor
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина10.16мм
680
+
Бонус: 13.6 !
Бонусная программа
Итого: 680
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
N-канальный МОП-транзистор UniFET ™, Fairchild Semiconductor МОП-транзистор UniFET ™ - это семейство высоковольтных МОП-транзисторов Fairchild Semiconductor. Он имеет наименьшее сопротивление в открытом состоянии среди планарных полевых МОП-транзисторов, а также обеспечивает превосходные характеристики переключения и более высокую устойчивость к лавинной энергии. Кроме того, внутренний антистатический диод затвор-исток позволяет MOSFET-транзистору UniFET-II ™ выдерживать импульсное напряжение HBM более 2000 В. Полевые МОП-транзисторы UniFET ™ подходят для применения в импульсных преобразователях мощности, таких как коррекция коэффициента мощности (PFC), плоские дисплеи (FPD) Питание телевизора, ATX (Advanced Technology eXtended) и электронные балласты для ламп.
Основные
ПроизводительON Semiconductor
Вес и габариты
число контактов3
длина10.16мм
Высота 15.87 мм
категорияМощный МОП-транзистор
количество элементов на ис1
максимальная рабочая температура+150 °C
максимальное напряжение сток-исток500 В
максимальное напряжение затвор-исток-30 В, +30 В
максимальное рассеяние мощности38,5 Вт
максимальное сопротивление сток-исток380 мОм
максимальный непрерывный ток стока16 A
материал транзистораКремний
минимальная рабочая температура-55 °C
minimum gate threshold voltage3V
номер каналаПоднятие
размеры10.16 x 4.7 x 15.87мм
серияUniFET
типичная входная емкость при vds1495 пФ при 25 В
типичное время задержки включения40 нс
типичное время задержки выключения65 нс
типичный заряд затвора при vgs32 нКл при 10 В
тип каналаN
тип корпусаTO-220F
тип монтажаМонтаж на плату в отверстия
transistor configurationОдинарный
Ширина4.7 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль