FDPF085N10A

Оставить отзыв
В избранноеВ сравнение
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CHANNEL POWERTRENCH МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина10.36 mm
drain source on state resistance0.0065Ом
900
+
Бонус: 18 !
Бонусная программа
Итого: 900
Купить
  • Обзор
  • Характеристики
  • Отзывы (0)
  • Реквизиты
Полупроводниковые приборы\Дискретные полупроводниковые приборы\Транзисторы\МОП-транзисторМОП-транзистор 100V N-CHANNEL POWERTRENCH МОП-транзистор
Вес и габариты
channel typeN Channel
длина10.36 mm
drain source on state resistance0.0065Ом
Высота 16.07 мм
id - непрерывный ток утечки40 A
категория продуктаМОП-транзистор
количество каналов1 Channel
количество выводов3вывод(-ов)
коммерческое обозначениеPowerTrench
конфигурацияSingle
крутизна характеристики прямой передачи - мин.76 S
линейка продукцииPowerTrench
максимальная рабочая температура175 C
монтаж транзистораThrough Hole
напряжение истока-стока vds100В
напряжение измерения rds(on)10В
непрерывный ток стока40А
pd - рассеивание мощности33.3 W
подкатегорияMOSFETs
полярность транзистораN-Channel
пороговое напряжение vgs
power dissipation33.3Вт
qg - заряд затвора31 nC
рассеиваемая мощность33.3Вт
размер фабричной упаковки1000
rds вкл - сопротивление сток-исток6.5 mOhms
серияFDPF085N10A
сопротивление во включенном состоянии rds(on)0.0065Ом
стиль корпуса транзистораTO-220F
технологияSi
тип продуктаMOSFET
тип транзистора1 N-Channel
торговая маркаON Semiconductor / Fairchild
упаковкаTube
упаковка / блокTO-220FP-3
уровень чувствительности к влажности (msl)MSL 1-Безлимитный
vds - напряжение пробоя сток-исток100 V
вес, г2.27
vgs - напряжение затвор-исток20 V
vgs th - пороговое напряжение затвор-исток4 V
вид монтажаThrough Hole
время нарастания22 ns
время спада8 ns
Ширина4.9 мм
Отзывов нет
Меню
0Корзина
Товар добавлен в корзину!
Товар добавлен в список сравнения
Товар добавлен в список избранных
Профиль